清華大學材料科學與工程研究院《材料科學論壇》學術報告

報告題目：後摩爾時代CMOS器件技術
報告人：韓根全
報告時間：2021年6月15日（周二）下午3:00
報告地點：清華大學逸夫技術科學樓A512學術報告廳
聯系人：符汪洋老師 62772507
歡迎廣大師生踴躍參加！

Abstract:
集成電路工藝已經量産到5~7 nm節點，CMOS器件按比例縮小已經接近其物理極限，而且芯片上晶體管數量超過了100億，高功耗給芯片設計和制造帶來極大的挑戰。為了延續摩爾定律帶來的集成電路成本和性能優勢，在通過改變器件結構（比如從FinFET到Nanosheet）和引入新材料（比如高遷移率溝道技術）繼續提升CMOS器件性能的同時，協同優化（Design Technology Co-optimization，DTCO）成為芯片制造的必然選擇。另外，現行通用計算架構中的“存儲牆”大大限制芯片算例和能效的提升，為了滿足大數據和人工智能技術的發展需求，新型非易失存儲器和非馮架構的研究成為微電子和集成電路領域的重要前沿課題。報告人将介紹若幹微電子器件新技術以及西安電子科技大學在後摩爾微電子器件研究方面的進展。

Biography:
韓根全，博士，西安電子科技大學教授，國家傑青，陝西省“百人計劃”高層次人才，國家重點研發計劃項目首席科學家。2019年獲得陝西省青年科技獎和電子學會優秀畢業論文優秀導師獎。目前擔任為IEEE Electron Device Letters編輯。
韓根全本科畢業于清華大學材料科學與工程專業，2003年到中國科學院半導體研究所讀直博研究生。2008年畢業後加入新加坡國立大學從事高端CMOS器件研究工作，期間帶領一個團隊在高遷移率GeSn溝道MOSFET器件研制方面取得了國際領先的原創性研究成果，被Semiconductor Today等網站多次轉載報道。2013年回國到現在主要從事後摩爾新型微電子器件和研究，包括後摩爾先進CMOS器件和芯片、新型非易失晶體管、超寬禁帶Ga2O3功率器件等。在微電子器件重要會議IEEE International Electron Devices Meeting/IEEE Symposium on VLSI Technology和IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices等微電子器件旗艦期刊發表SCI論文200多篇。
韓根全主要學術創新工作包括：1）原始創新發明、發展高遷移率GeSn溝道晶體管；2）獨辟蹊徑推動負電容晶體管從概念到實際器件；3）發明了新型氧空位調制的類鐵電非易失晶體管，比摻雜HfO2鐵電器件操作電壓低，耐久性更優； 4）國際上首次利用智能剝離技術實現高導熱襯底（SiC或者Si）上的Ga2O3材料和功率器件。