清華大學材料科學與工程研究院《材料科學論壇》學術報告

報告時間：2024年9月25日上午10:00

報告人：李連忠老師（香港大學機械工程系）

報告地點：清華大學逸夫技術科學樓A205學術報告廳

邀請人：王琛老師

報告題目：二維材料面向未來電子學之研究進展

報告摘要：

在先進邏輯器件中随着晶體管尺寸繼續縮小，源極漏極隧道效應越加明顯，晶體管栅極的可控性變弱。因此，必須減少晶體管本體的厚度以确保有效的栅極控制。如"超薄"的二維半導體等新材料引起了關注。各大半導體公司也加大這一方向的研究力度,我将對二維半導體材料與先進矽基鳍式場效晶體管(FinFET 16nm, 7nm)及環繞式栅極晶體管(GAA 1nm)進行電路分析，讨論在先進的技術節點中使用平面二維半導體晶體管優于Si FinFET（或GAA）的好處, 包含速度更快,能耗更低等。 同時，我們也将讨論2D半導體在材料成長上最關鍵的缺陷問題，如何能長出高質量符合未來電子學需要的二維半導體，以及制作晶體管的幾個關鍵問題包含金屬接觸, high-k 介電層等等之研究進展情況。

報告人簡介：

李連忠 (Lance Li) 教授: 香港大學機械工程系未來電子講席教授,香港大學物理系禮任講席教授,香港大學微電子研究中心主任,前台積電技術研究處處長,英國皇家化學會會士,美國化學會奈米短評(Nano Letters)副編輯。

1994及1996年獲得台灣大學化學學士(BSc)及碩士(MSc)學位。1997-2002 年間任職于台積電資深研發工程師,2006年英國牛津大學凝态物理博士并加入新加坡南洋理工大學任助理教授,2010年任中央研究院擔任副研究員,2014年加入沙特國王科技大學,2016年升任正教授, 2017年底任台積電技術研究處處長, 2021年加入香港大學任講席教授。研究領域為化學汽相沉積CVD和工具設計,器件制造和集成,二維半導體材料生長(石墨烯、氮化硼、二硫化合物等)。目前擁有超過60個美國專利。2018-2023全球高被引學者; 發表>500篇論文, 引用>84000次, H指數134 (AD Sci Index)。